계장기술(PROCON)

신제품 5G 및 IoT에서 전력 손실을 줄이는 Nexperia 전력 GaN FET

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작성자 최고관리자 댓글 0건 조회 918회 작성일 20-10-15 15:10

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개발 엔지니어 및 전자부품 구매자를 대상으로 한 최초의 정보 포털이자 협업 커뮤니티 및 온라인 전자부품 쇼핑몰 엘리먼트14(https://kr.element14.com/)가 2020년 9월 16일 Nexperia의 혁신적인 전력 GaN FET 제품군 출시를 발표했다. GaN FET 제품은 소형 폼팩터에서 밀도를 개선하고, 전력 사용 효율을 높여 더 낮은 비용으로 효율적인 시스템 개발을 가능하게 하며, 전기자동차와 5G 통신, IoT 등의 분야에서 전력 성능을 개선할 수 있다. 관련 법규가 증가하고, Co2 배출 감축의 필요성이 높아지며, 더 효율적인 전력 변환으로 옮겨가고, 전력화가 증가하는 상황에서 이러한 혁신적인 제품군은 설계 엔지니어에게 실질적 솔루션을 제공할 수 있다.

GaN 기술은 전력 변환 애플리케이션 전 제품군에 직간접적인 성능상의 이점을 제공하기 위해 실리콘 기반 I GBT 및 SiC 등 기존 기술의 많은 한계를 극복했다. 전기차의 경우 GaN 기술은 차량 제품군에 영향을 미치는 전력 손실을 직접적으로 감소시키며, 더욱 효율적인 전력 변환으로 인해 냉각장치를 작동하여 열을 식힐 필요가 없으며, 차량 중량과 시스템 복잡성을 줄임으로써 더 작은 배터리를 이용하면서도 주행거리가 종전과 같거나 더 길어진다. 또한 전력 GaN FET는 데이터 센터 애플리케이션, 통신 인프라, 산업 애플리케이션에서도 유리하다.

GaN FET는 AC-DC 토템 폴 PFC 애플리케이션을 위한 하드 스위칭, 소프트 스위칭 애플리케이션을 위한 L LC 위상 변이 풀-브릿지(공명 또는 고정 주파수), 모든 DC-AC 인버터 토폴로지, 양방향 스위치를 사용하는 A C-AC 매트릭스 컨버터 등의 솔루션에서 우수한 성능을 구현한다.

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