- 기존 제품 대비 스위칭 손실을 35％ 저감하여, 기기의 저소비 전력화에 기여

로옴(ROHM) 주식회사(본사 : 교토 / www.rohm.co. kr)가 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 최적인 트렌치 게이트 구조 SiC MOSFET 「SCT3xxx xR 시리즈」 6기종 (650V / 1200V 내압)을 개발했다.

이번에 개발한 시리즈는 SiC MOSFET가 지닌 고속 스위칭 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 4단자 패키지(TO-247-4L)를 채용했다. 이에 따라, 기존의 3단자 패키지(TO-247N) 대비 스위칭 손실을 약 35％ 저감하여, 각종 기기의 저소비 전력화에 기여한다.

또한, SiC 디바이스의 구동에 최적인 로옴의 게이트 드라이버 IC(BM6101FV-C) 및 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드 「P02SCT30 40KR-EVK-001」도 제공함으로써, 디바이스 평가를 간단히 실시할 수 있는 솔루션을 제안하고 있다.

본 시리즈는 8월부터 월 50만 개의 생산 체제로 순차적 양산을 개시(샘플 가격 : 2,100엔~, 세금 불포함)했다. 생산 거점은 로옴 아폴로 주식회사(후쿠오카)다. 또한, 본 시리즈 및 평가 보드는 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능하다.